但是，目前依然还有困扰着相变存储器发展的问题：它的每个存储单元只能存储一位，成本不低而容量不高，目前只是小规模地适用于手机上，还不适合 用于计算机。IBM苏黎世研发中心解决的就是这个问题。在6月份于美国加州蒙特利召开的第三届美国电气和电子工程师协会国际存储设备工作组会议上，IBM 的研发工程师提出了多位相变存储器的设计报告，成功地在每个存储单元存储了四种不同的状态，让每个存储单元都能存储两位数据。 这块PCM实验芯片使用90纳米工艺制造，拥有20万个存储单元，已经经过了5个月的数据存储实验，证明达到了企业级存储设备的要求。IBM的研发人员改进了整个写入流程，以“迭代式写入”的方法精确地控制存储单元的电阻率，还利用先进的调制技术提高了存储的可靠性。 “组织和消费者越来越倾向于云计算模式。”苏黎世研发中心的存储技术部门经理Haris Pozidis说，“我们需要更强、更高效，而在价格上也可以接受的存储技术。通过这项研究，我们在相变存储实用化方面迈出了一大步。” 的确如此。下一个新时代需要这样的设备，更好的多位相变存储器甚至可能亲手把它的前辈—同样诞生于IBM研发实验室的硬盘—彻底埋葬。但是那应 该不会在最近发生。根据IBM的计划，多位相变存储器的量产应该会是2016年的事了。到底未来会不会是相变存储器的天下，让我们再等几年。 |
